开关电源使用

开关电源三种拓扑:buck,boost,buck-boost.拓扑图如下: Buck BoostΔ Buck-Boost 变压器计算: 一.Buck电路变压器计算 BUCK电路在最高输入电压时为电感最恶劣工作条件: 1.首先设定如下参数:输入电压Vin,输出电压Iout,工作频率f: 2.由于电路工作在临界模式,所以电感峰值电流为2Iout: 3.占空比D=Vout/Vin: 4.由伏秒平衡V*ton=L*I:可得L=(V*dt)/di =(v*dt)/Ipk ,其中ton=D*T=D/f: 5

.前言 在设计电路板时,一般用到开关电源.线性稳压电源和低压差线性稳压器(LDO). 参考资料:开关稳压电源和线性稳压电源 这三种电源在原理上有什么区别呢? 1.开关稳压电源原理 开关稳压电源可以简化成下图,也就是经典的buck电路.工作是,K导通,L和C充电,D截止,此时,由于L的电感作用和C的充电原理,充电到电压V是需要时间的,K断开,L和C经过D放电.如果根据输出电压来对K进行PWM控制,就可以输出不同电压.所以开关电源一般作为降压电源使用.但因为不停开关,具有纹波等干扰. 在开关闭合时,

SD8585S原边控制开关电源 内置高压MOS 管  Q Q 2892715427 概述 SD8585S 是离线式开关电源集成电路,内置线损补偿和峰值电流补偿的高端开关电源控制器.通过检测变压器原 级线圈的峰值电流和辅助线圈的反馈电压,控制系统的输出电压和电流,达到输出恒压或者恒流的目的.SD8585S 内 置高压MOS 功率开关,适用于输出功率10~12W 充电器.适配器.待机电源.SOP7 封装. 2. SD8585S 控制芯片内部框图 SD8585S 内部包括欠压锁存.过压保护.峰值电流检

一般LDO电源自身的功耗为(Vin-Vout)*Iout,因此这两者越大,功耗也越大,效率也就越低. LDO ,开关电源DC-DC的优缺点(2008-11-06 22:40:23)转载标签: 电源杂谈 低压差线性稳压器,故名思意,为线性的稳压器,仅能使用在降压应用中.也就是输出电压必需小于输入电压.优点:稳定性好,负载响应快.输出纹波小缺点:效率低,输入输出的电压差不能太大.负载不能太大,目前最大的LDO为5A(但要保证5A的输出还有很多的限制条件) DC/DC:直流电压转直流电压.严格来讲,L

先上几张图装逼一下: 以上图片纯属装逼,请勿模仿!! 言归正传,这里主要讲一下今天碰到的问题:中达开关电源上报交流停电的勿告警. 对于室外一体化机柜中达开关电源的监控,没有监控面板,只有如图一的告警指示灯.告警灯亮表示有告警,灭表示无告警. 今天碰到的问题是后台上报交流停电告警,但是现场无告警.通过重启市电供电后,告警消除. 这里讲一下第一图的告警灯及监控线的接法: 监控线总共有六个接线槽,从左往右分别为1至6号,每个线槽对应三个接口,在三个接口中有一个为COM口,一般是三个中中间的那个口,另外

一.线性电源的原理 线性电源主要包括工频变压器.输出整流滤波器.控制电路.保护电路等.如图1. 图1 线性电源是先将交流电经过变压器变压,再经过整流电路整流滤波得到未稳定的直流电压,要达到高精度的直流电压,必须经过电压反馈调整输出电压,这种电源技术很成熟,可以达到很高的稳定度,波纹也很小,而且没有开关电源具有的干扰与噪音.但是它的缺点是需要庞大而笨重的变压器,所需的滤波电容的体积和重量也相当大,而且电压反馈电路是工作在线性状态,调整管上有一定的电压降,在输出较大工作电流时,致使调整管的功耗太大,

移相全桥变换器可以大大减少功率管的开关电压.电流应力和尖刺干扰,降低损耗,提高开关频率.如何以UC3875为核心,设计一款基于PWM软开关模式的开关电源?请见下文详解. 主电路分析 这款软开关电源采用了全桥变换器结构,使用MOSFET作为开关管来使用,参数为1000V/24A.采用移相ZVZCSPWM控制,即超前臂开关管实现ZVS.滞后臂开关管实现ZCS.电路结构简图如图1,VT1~VT4是全桥变换器的四只MOSFET开关管,VD1.VD2分别是超前臂开关管VT1.VT2的反并超快恢复二极管,C

我来推荐几本吧,我看过的书比较多,书名可能记得不是很清楚.但按照我提供的书名信息,在网上可以查到正确书名的.另外,我手头上还有部分书的电子版,有时间的话,我另开一贴传上来. 第2贴推荐的书,美国伦克写的,写的还算不错,但很笼统. 第一贴<开关电源入门>和三楼那个美国国家半导体总工写的书,我都看过,一般水平都算不上,垃圾的很,看了纯属浪费时间. 1.<开关电源指南>第2版,浙江大学徐德鸿翻译的,也有可能是他的学生翻译,他署名出版而已.说实话,翻译水平很烂,错误相当多,但里面很多内容,

上世纪60年代,开关电源的问世,使其逐步取代了线性稳压电源和SCR相控电源.40多年来,开关电源技术有了飞迅发展和变化,经历了功率半导体器件.高频化和软开关技术.开关电源系统的集成技术三个发展阶段. 功率半导体器件从双极型器件(BPT.SCR.GTO)发展为MOS型器件(功率MOSFET.IGBT.IGCT等),使电力电子系统有可能实现高频化,并大幅度降低导通损耗,电路也更为简单. 自上世纪80年代开始,高频化和软开关技术的开发研究,使功率变换器性能更好.重量更轻.尺寸更小.高频化和软开关技术是